Oleh: dianny | Januari 11, 2007

Piranti Elektronik (Devices) Berbasis Semikonduktor

Catatan Fisika Zat Padat II

Jurusan Fisika FMIPA UNS

Dosen:Ir. Ari Handono Ramelan, Msc, PhD

Piranti Elektronik (Devices) Berbasis Semikonduktor

Pada catatan kuliah ini akan dibahas masalah penerapan dari prinsip-prinsip semikonduktor untuk piranti elektronik. Perkembangan yang berhasil dari piranti elektronik ini (seperti transistor) telah mendorong untuk melakukan kajian dalam bidang material semikonduktor, fisika zat padat dan ilmumaterial. kajian semikonduktor yang dimulai awal tahun 1950 juga telah memperluas pendalaman tentang struktur bahan. Pertama akan dibahas tentang sifat-sifat sambungan p-n (p-n junction) dan menjelaskan sifat-sifat penguatannya. Dari gabungan bahan semikonduktor tipe p dan tipe n dapat ditunjukkan oleh transistor sebagai penguat (amplifier). Kaiatannya dengan aplikasi praktek, transistor adalah piranti zat padat yang paling penting. Sedangkan piranti gelombang mikro (mikrowave). yang operasinya menggunakan prinsip konduktivitas diferensial negatif (khususnya tunnel dan Gunn), juga akan dibahas laser semikonduktor dan piranti semikonduktor yang lainnya.

Sambungan p-n : Penguat (Amplifier)

Sambungan p-n adalah suatu bahan yang terdiri 2 jenis kristal semikonduktor yaitu semikonduktor tie p dan semikonduktor tipe n yang digabungkan menjadi satu ( seperti yang disajikan pada gambar 1.a)

screen21.gif

http://www.acsu.buffalo.edu/…/screen21.gif
(a)

gambar 1. (a) Sambungan p-n (b) Sambungan bertingkat (c) Sambungan Tegak

Bagian semikonduktor tipe n (donor) adalah suatu material semikonduktor yang didadah (doped) dengan atom golongan V, sedangkan bagian semikonduktor tipe-p (akseptor) adalah suatu material semikonduktor yang didadah (doped) dengan atom golongan III. Variasi kosentrasi donor dan akseptor ( Nd dan Na) pada daerah sambungan (junction ) dan sekitarnya ditampilkan pada gambar 1.b. Daerah sambungan (junction) yang mana konsentrasi muatan (carrier) bervariasi secara gradual disebuta dengan ” graded junction“. Sedangkan daerah sambungan (junction) yang mana konsentrasinya muatannya berubah diskontinu disebut dengan ” abrupt junction” seperti disajikan pada gambar 1.c. Konsentrasi donor adalah konstan Nd di bahan semikonduktor tie n dan nilai Nd = 0 pada bahan semikonduktor tipe p. konsentrasi akseptor Na sebaliknya.


Responses

  1. kepada bapak bisa dijelaskan dan kirimi ke e-mail ku tentang cara belajar piranti semikonduktor


Tinggalkan Balasan

Isikan data di bawah atau klik salah satu ikon untuk log in:

Logo WordPress.com

You are commenting using your WordPress.com account. Logout / Ubah )

Gambar Twitter

You are commenting using your Twitter account. Logout / Ubah )

Foto Facebook

You are commenting using your Facebook account. Logout / Ubah )

Foto Google+

You are commenting using your Google+ account. Logout / Ubah )

Connecting to %s

Kategori

%d blogger menyukai ini: